skip to main content
Ngôn ngữ:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters

Kết quả 1 - 20 của 342  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

EOMCC, MRPT, and TDDFT Studies of Charge Transfer Processes in Mixed-Valence Compounds: Application to the Spiro Molecule

Glaesemann, Kurt R ; Govind, Niranjan ; Krishnamoorthy, Sriram ; Kowalski, Karol; Pacific Northwest National Laboratory (Pnnl), Richland, Wa (Us), Environmental Molecular Sciences Laboratory (Emsl) (Corporate Author)

Journal of Physical Chemistry A, 114(33):8764-8771, 25 August 2010, Vol.114(33) [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1021/jp101761d

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

InGaN/GaN tunnel junctions for hole injection in GaN light emitting diodes

Krishnamoorthy, Sriram ; Akyol, Fatih ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 06 October 2014, Vol.105(14) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4897342

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Demonstration of forward inter-band tunneling in GaN by polarization engineering

Krishnamoorthy, Sriram ; Park, Pil Sung ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 05 December 2011, Vol.99(23) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3666862

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Tunneling-based carrier regeneration in cascaded GaN light emitting diodes to overcome efficiency droop

Akyol, Fatih ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 19 August 2013, Vol.103(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4819737

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Low Resistance GaN/InGaN/GaN Tunnel Junctions

Krishnamoorthy, Sriram ; Akyol, Fatih ; Rajan, Siddharth; Rajan, Siddharth (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Jan 21, 2013 [Tạp chí có phản biện]

E-ISSN: 2331-8422 ; DOI: 10.1063/1.4796041

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Energy band engineering for photoelectrochemical etching of GaN/InGaN heterostructures

Ramesh, Prashanth ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, Siddharth ; Washington, Gregory N.

Applied Physics Letters, 16 June 2014, Vol.104(24) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4883890

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electron gas dimensionality engineering in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using polarization

Sung Park, Pil ; Nath, Digbijoy N. ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 06 February 2012, Vol.100(6) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3685483

Toàn văn không sẵn có

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Low resistance GaN/InGaN/GaN tunnel junctions

Krishnamoorthy, Sriram ; Akyol, Fatih ; Park, Pil Sung ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 18 March 2013, Vol.102(11) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4796041

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

AlGaN channel field effect transistors with graded heterostructure ohmic contacts

Bajaj, Sanyam ; Akyol, Fatih ; Krishnamoorthy, Sriram ; Zhang, Yuewei ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 26 September 2016, Vol.109(13) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4963860

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
10
Electron gas dimensionality engineering in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using polarization
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electron gas dimensionality engineering in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using polarization

Sung Park, Pil ; Nath, Digbijoy N. ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 02/06/2012, Vol.100(6), p.063507 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3685483

Toàn văn không sẵn có

11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Massively parallel implementation of the multireference Brillouin–Wigner CCSD method

Brabec, Jiří ; Krishnamoorthy, Sriram ; van Dam, Hubertus J.J ; Kowalski, Karol ; Pittner, Jiří

Chemical Physics Letters, 06 October 2011, Vol.514(4-6), pp.347-351 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0009-2614 ; E-ISSN: 1873-4448 ; DOI: 10.1016/j.cplett.2011.08.016

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Publisher’s Note: “Detailed characterization of deep level defects in InGaN Schottky diodes by optical and thermal deep level spectroscopies” [Appl. Phys. Lett. 99, 092109 (2011)]

Gür, Emre ; Zhang, Zeng ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, S. ; Ringel, S. A.

Applied Physics Letters, 28 November 2011, Vol.99(22) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3666222

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electrical Properties of Atomic Layer Deposited Aluminum Oxide on Gallium Nitride

Esposto, Michele ; Krishnamoorthy, Sriram ; Nath, Digbijoy ; Bajaj, Sanyam ; Rajan, Siddharth; Rajan, Siddharth (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Sep 12, 2011 [Tạp chí có phản biện]

E-ISSN: 2331-8422 ; DOI: 10.1063/1.3645616

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electrical properties of atomic layer deposited aluminum oxide on gallium nitride

Esposto, Michele ; Krishnamoorthy, Sriram ; Nath, Digbijoy N. ; Bajaj, Sanyam ; Hung, Ting-Hsiang ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 26 September 2011, Vol.99(13) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3645616

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
15
Detailed characterization of deep level defects in InGaN Schottky diodes by optical and thermal deep level spectroscopies
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Detailed characterization of deep level defects in InGaN Schottky diodes by optical and thermal deep level spectroscopies

Gür, Emre ; Zhang, Zeng ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, S. ; Ringel, S. A.

Applied Physics Letters, 08/29/2011, Vol.99(9), p.092109 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3631678

Toàn văn không sẵn có

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Erratum: “Low-resistance GaN tunnel homojunctions with 150 kA/cm 2 current and repeatable negative differential resistance” [Appl. Phys. Lett. 108 , 131103 (2016)]

Akyol, Fatih ; Krishnamoorthy, Sriram ; Zhang, Yuewei ; Johnson, Jared ; Hwang, Jinwoo ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 05 September 2016, Vol.109(10) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4961678

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Current gain above 10 in sub-10 nm base III-Nitride tunneling hot electron transistors with GaN/AlN emitter

Yang, Zhichao ; Zhang, Yuewei ; Krishnamoorthy, Sriram ; Nath, Digbijoy N. ; Khurgin, Jacob B. ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 09 May 2016, Vol.108(19) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4949489

Toàn văn không sẵn có

18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Current gain above 10 in sub-10 nm base III-Nitride tunneling hot electron transistors with GaN/AlN emitter

Yang, Zhichao ; Zhang, Yuewei ; Krishnamoorthy, Sriram ; Nath, Digbijoy N ; Khurgin, Jacob B ; Rajan, Siddharth ; Department of Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210

Applied Physics Letters, 09 May 2016, Vol.108(19) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4949489

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Detailed characterization of deep level defects in InGaN Schottky diodes by optical and thermal deep level spectroscopies

Gür, Emre ; Zhang, Zeng ; Krishnamoorthy, Sriram ; Rajan, S. ; Ringel, S. A.

Applied Physics Letters, 29 August 2011, Vol.99(9) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3631678

Toàn văn không sẵn có

20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Low-resistance GaN tunnel homojunctions with 150 kA/cm 2 current and repeatable negative differential resistance

Akyol, Fatih ; Krishnamoorthy, Sriram ; Zhang, Yuewei ; Johnson, Jared ; Hwang, Jinwoo ; Rajan, Siddharth

Applied Physics Letters, 28 March 2016, Vol.108(13) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4944998

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 342  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Chỉ hiển thị

  1. Tạp chí có phản biện (150)
  2. Toàn văn trực tuyến (141)

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước2006  (7)
  2. 2006đến2008  (31)
  3. 2009đến2011  (61)
  4. 2012đến2015  (88)
  5. Sau 2015  (150)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Ngôn ngữ 

  1. English  (325)
  2. French  (10)
  3. German  (4)
  4. Danish  (1)
  5. Chinese  (1)
  6. Russian  (1)
  7. Polish  (1)
  8. Spanish  (1)
  9. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Krishnamoorthy, Sriram
  2. Krishnamoorthy, S
  3. Pacific Northwest National Lab.
  4. Sadayappan, P.
  5. Rajan, Siddharth

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...