skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 55  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 next page
Chỉ hiển thị
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

A Practical Implementation of Parallel Dynamic Load Balancing for Adaptive Computing in VLSI Device Simulation.(Author abstract)

Li, Y. ; Sze, S. M. ; Chao, T. - S.

Engineering with Computers, August, 2002, Vol.18(2), p.124 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0177-0667

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Influence of hydrogen plasma treatment on charge storage characteristics in high density tungsten nanocrystal nonvolatile memory

Chen, Shih-Cheng ; Chang, Ting-Chang ; Chen, Wei-Ren ; Lo, Yuan-Chun ; Wu, Kai-Ting ; Sze, S.M ; Chen, Jason ; Liao, I.H ; Yeh(Huang), Fon-Shan

Thin Solid Films, 2011, Vol.519(11), pp.3897-3901 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.259

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Nonvolatile memory effect of tungsten nanocrystals under oxygen plasma treatments

Chen, Shih-Cheng ; Chang, Ting-Chang ; Chen, Wei-Ren ; Lo, Yuan-Chun ; Wu, Kai-Ting ; Sze, S.M ; Chen, Jason ; Liao, I.H ; Yeh(Huang), Fon-Shan

Thin Solid Films, 2010, Vol.518(24), pp.7339-7342 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2010.04.107

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Formation and nonvolatile memory characteristics of W nanocrystals by in-situ steam generation oxidation

Chen, Shih-Cheng ; Chang, Ting-Chang ; Hsieh, Chieh-Ming ; Li, Hung-Wei ; Sze, S.M ; Nien, Wen-Ping ; Chan, Chia-Wei ; Yeh(Huang), Fon-Shan ; Tai, Ya-Hsiang

Thin Solid Films, 2010, Vol.519(5), pp.1677-1680 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2010.08.167

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Temperature-dependent memory characteristics of silicon–oxide–nitride–oxide–silicon thin-film-transistors

Chen, Shih-Ching ; Chang, Ting-Chang ; Wu, Yung-Chun ; Chin, Jing-Yi ; Syu, Yong-En ; Sze, S.M ; Chang, Chun-Yen ; Wu, Hsing-Hua ; Chen, Yi-Chan

Thin Solid Films, 2010, Vol.518(14), pp.3999-4002 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2009.12.006

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Nickel silicide nanocrystals embedded in SiO 2 and HfO 2 for nonvolatile memory application

Yang, F.M ; Chang, T.C ; Liu, Po-Tsun ; Yeh, Y.H ; Yu, Y.C ; Lin, J.Y ; Sze, S.M ; Lou, J.C

Thin Solid Films, 2007, Vol.516(2), pp.360-363 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2007.06.131

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Co-sputtered Ru-Ti alloy electrodes for DRAM applications.(Report)

Horng, R. H. ; Wuu, D. S. ; Wu, L. H. ; Wei, S. C. ; Chan, S. H. ; Leu, C. C. ; Huang, T. Y. ; Sze, S. M. ; Lee, M. K.

Thin Solid Films, April, 1999, Vol.343-344, p.598(4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090

Truy cập trực tuyến

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Erratum to “Extraction of electrical mechanisms of low-dielectric constant material MSZ for interconnect applications” [Thin Solid Films 447–448 (2004) 516–523]

Chang, T.C ; Yan, S.T ; Liu, P.T ; Lin, Z.W ; Aoki, H ; Sze, S.M

Thin Solid Films, 2004, Vol.467(1), pp.342-342 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2004.05.002

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Extraction of electrical mechanisms of low-dielectric constant material MSZ for interconnect applications

Chang, T.C ; Yan, S.T ; Liu, P.T ; Lin, Z.W ; Aoki, H ; Sze, S.M

Thin Solid Films, 2004, Vol.447, pp.516-523 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2003.07.014

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Bipolar resistive switching of chromium oxide for resistive random access memory

Chen, Shih-Cheng ; Chang, Ting-Chang ; Chen, Shih-Yang ; Chen, Chi-Wen ; Chen, Shih-Ching ; Sze, S.M ; Tsai, Ming-Jinn ; Kao, Ming-Jer ; Yeh, Fon-Shan

Solid State Electronics, 2011, Vol.62(1), pp.40-43 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0038-1101 ; E-ISSN: 1879-2405 ; DOI: 10.1016/j.sse.2010.12.014

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The effect of ammonia plasma treatment on low- k methyl-hybrido-silsesquioxane against photoresist stripping damage

Chang, T.C ; Mor, Y.S ; Liu, P.T ; Tsai, T.M ; Chen, C.W ; Mei, Y.J ; Sze, S.M

Thin Solid Films, 2001, Vol.398, pp.632-636 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01330-X

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Characterization of porous silicate for ultra-low k dielectric application

Liu, Po-Tsun ; Chang, T.C ; Hsu, K.C ; Tseng, T.Y ; Chen, L.M ; Wang, C.J ; Sze, S.M

Thin Solid Films, 2002, Vol.414(1), pp.1-6 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/S0040-6090(02)00423-6

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Enhancing the resistance of low- k hydrogen silsesquioxane (HSQ) to wet stripper damage

Chang, T.C ; Mor, Y.S ; Liu, P.T ; Tsai, T.M ; Chen, C.W ; Mei, Y.J ; Sze, S.M

Thin Solid Films, 2001, Vol.398, pp.523-526 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01312-8

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Improvement of low dielectric constant methylsilsesquioxane by boron implantation treatment

Chang, T.C ; Mor, Y.S ; Liu, P.T ; Tsai, T.M ; Chen, C.W ; Sze, S.M ; Mei, Y.J

Thin Solid Films, 2001, Vol.398, pp.637-640 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01331-1

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Dependence of energy gap on magnetic field in semiconductor nano-scale quantum rings

Li, Yiming ; Lu, Hsiao-Mei ; Voskoboynikov, O ; Lee, C.P ; Sze, S.M

Surface Science, 2003, Vol.532, pp.811-815 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0039-6028 ; E-ISSN: 1879-2758 ; DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00171-7

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
16
The novel precleaning treatment for selective tungsten chemical vapor deposition
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The novel precleaning treatment for selective tungsten chemical vapor deposition

Chang, T.C ; Mor, Y.S ; Liu, P.T ; Sze, S.M ; Yang, Y.L ; Tsai, M.S ; Chang, C.Y

Thin Solid Films, 11/1999, Vol.355-356, C, pp.451-455 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 00406090 ; DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00549-0

Truy cập trực tuyến

17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Co-sputtered Ru-Ti alloy electrodes for DRAM applications

Horng, R.H ; Wuu, D.S ; Wu, L.H ; Wei, S.C ; Chan, S.H ; Leu, C.C ; Huang, T.Y ; Sze, S.M ; Lee, M.K

Thin Solid Films, 1999, Vol.343, pp.598-601 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; E-ISSN: 1879-2731 ; DOI: 10.1016/S0040-6090(98)01699-X

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electron energy state spin-splitting in 3D cylindrical semiconductor quantum dots.(Author abstract)

Li, Y. ; Lee, C. P. ; Sze, S. M. ; Tretyak, O.

The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems, August, 2002, Vol.28(3), p.475 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 1434-6028

Truy cập trực tuyến

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

A Computational Technique for Electron Energy States Calculation in Nano-Scopic Three-Dimensional InAs/GaAs Semiconductor Quantum Rings Simulation.(Author abstract)

Li, Yiming ; Voskoboynikov, O. ; Lee, C. P. ; Sze, S. M.

Journal of Computational Electronics, July, 2002, Vol.1(1), p.227 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 1569-8025

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Characteristics of poly-Si TFT combined with nonvolatile SONOS memory and nanowire channels structure

Chen, Shih-Ching ; Chang, Ting-Chang ; Liu, Po-Tsun ; Wu, Yung-Chun ; Lin, Po-Shun ; Chen, Shih-Cheng ; Chin, Jing-Yi ; Sze, S.M ; Chang, Chun-Yen ; Lien, Chen-Hsin

Surface & Coatings Technology, 2007, Vol.202(4), pp.1287-1291 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0257-8972 ; E-ISSN: 1879-3347 ; DOI: 10.1016/j.surfcoat.2007.07.111

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 55  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Chỉ hiển thị

  1. Tạp chí có phản biện (54)

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước1968  (8)
  2. 1968đến1971  (6)
  3. 1972đến1993  (5)
  4. 1994đến2001  (16)
  5. Sau 2001  (20)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Sze, S.M
  2. Sze, SM
  3. Chang, T.C.
  4. Li, Yiming
  5. Liu, P.T.

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...