skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 240  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page
Chỉ hiển thị
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Theoretical unification of hybrid-DFT and DFT+U methods for the treatment of localized orbitals

Ivády, Viktor ; Armiento, Rickard ; Szász, Krisztián ; Janzén, Erik ; Gali, Adam ; Abrikosov, Igor; Abrikosov, Igor (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Jun 11, 2014 [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1103/PhysRevB.90.035146

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Impact of residual carbon on two-dimensional electron gas properties in Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>N/GaN heterostructure

Chen, Jr-Tai ; Forsberg, Urban ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2013, Vol. 102(19), p. 193506 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4804600

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Shallow donor and DX states of Si in AlN

Son Tien, Nguyen ; Bickermann, M ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, Vol. 98(9), p. 092104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3559914

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Strain and morphology compliance during the intentional doping of high-Al-content AlGaN layers

Nilsson, Daniel ; Janzén, Erik ; Kakanakova-Georgieva, Anelia

Applied Physics Letters, 2014, Vol.105(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4894173

Toàn văn sẵn có

5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Role of screening in the density functional applied to transition-metal defects in semiconductors

Ivády, Viktor ; Abrikosov, Igor ; Janzén, Erik ; Gali, A

Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, 2013, Vol.87(20) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 1098-0121 ; ISSN: 1098-0121 ; DOI: 10.1103/PhysRevB.87.205201

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Radiation-induced defects in GaN bulk grown by halide vapor phase epitaxy

Duc, Tran Thien ; Pozina, Galia ; Son, Nguyen Tien ; Janzén, Erik ; Ohshima, Takeshi ; Hemmingsson, Carl

Applied Physics Letters, 2014, Vol.105(10), pp.102103 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4895390

Toàn văn sẵn có

7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers

Lilja, Louise ; Booker, Ian D. ; Hassan, Jawad Ul ; Janzen, Erik ; Bergman, J. Peder

Journal of Crystal Growth, Oct 15, 2013, Vol.381, p.43(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Toàn văn sẵn có

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Direct current magnetron sputtered ZrB.sub.2 thin films on 4H-SiC(0001) and Si(100)

Tengdelius, Lina ; Samuelsson, Mattias ; Jensen, Jens ; Lu, Jun ; Hultman, Lars ; Forsberg, Urban ; Janzen, Erik ; Hogberg, Hans

Thin Solid Films, Jan 1, 2014, Vol.550, p.285(6) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090

Toàn văn sẵn có

9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Investigation of deep levels in bulk GaN material grown by halide vapor phase epitaxy

Duc Tran, Thien ; Pozina, Galia ; Janzén, Erik ; Hemmingsson, Carl

Journal of Applied Physics, 2013, Vol.114(15) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; ISSN: 0021-8979 ; DOI: 10.1063/1.4825052

Toàn văn sẵn có

10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

High thermal stability quasi-free-standing bilayer graphene formed on 4H–SiC(0 0 0 1) via platinum intercalation

Xia, Chao ; Johansson, Leif I. ; Niu, Yuran ; Zakharov, Alexei A. ; Janzén, Erik ; Virojanadara, Chariya

Carbon, November 2014, Vol.79, pp.631-635 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0008-6223 ; DOI: 10.1016/j.carbon.2014.08.027

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Properties of GaN layers grown on N-face free-standing GaN substrates

Li, Xun ; Hemmingsson, Carl ; Forsberg, Urban ; Janzen, Erik ; Pozina, Galia

Journal of Crystal Growth, March 1, Vol.413, p.81(5) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Toàn văn sẵn có

12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

High-quality AlN layers grown by hot-wall MOCVD at reduced temperatures

Kakanakova-Gueorgieva, Anelia ; Nilsson, Daniel ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Journal of Crystal Growth, 2012, Vol. 338(1), pp. 52-56 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248 ; DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.10.052

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Spin and photophysics of carbon-antisite vacancy defect in 4H silicon carbide: A potential quantum bit

Szasz, Krisztian ; Ivády, Viktor ; Abrikosov, Igor ; Janzén, Erik ; Bockstedte, Michel ; Gali, Adam

Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, 2015, Vol.91(12), pp.121201 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 1098-0121 ; ISSN: 1098-0121 ; DOI: 10.1103/PhysRevB.91.121201

Toàn văn sẵn có

14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Stoichiometric, epitaxial ZrB.sub.2 thin films with low oxygen-content deposited by magnetron sputtering from a compound target: Effects of deposition temperature and sputtering power

Tengdelius, Lina ; Greczynski, Grzegorz ; Chubarov, Mikhail ; Lu, Jun ; Forsberg, Urban ; Hultman, Lars ; Janzen, Erik ; Hogberg, Hans

Journal of Crystal Growth, Nov 15, 2015, Vol.430, p.55(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Toàn văn sẵn có

15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Stable and metastable Si negative-U centers in AlGaN and AlN

Trinh, Xuan Thang ; Nilsson, Daniel ; Ivanov, Ivan Gueorguiev ; Janzén, Erik ; Kakanakova-Georgieva, Anelia ; Son, Nguyen Tien

Applied Physics Letters, 2014, Vol.105(16), pp.162106-1-162106-4 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4900409

Toàn văn sẵn có

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Graphene self-switching diodes as zero-bias microwave detectors

Westlund, A. ; Winters, M. ; Ivanov, Ivan Gueorguiev ; Ul-Hassan, Jawad ; Nilsson, P. -A. ; Janzén, Erik ; Rorsman, N. ; Grahn, J.

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(9), pp.093116 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4914356

Toàn văn sẵn có

17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Room-Temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure

Chen, Jr-Tai ; Persson, Ingemar ; Nilsson, Daniel ; Hsu, Chih-Wei ; Palisaitis, Justinas ; Forsberg, Urban ; Persson, Per ; Janzén, Erik

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(25) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4922877

Toàn văn sẵn có

18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Observation of the generation of stacking faults and active degradation measurements on off-axis and on-axis 4H-SiC PiN diodes

Thierry-Jebali, Nicolas ; Hassan, Jawad ; Lazar, Mihai ; Planson, Dominique ; Bano, Edwige ; Henry, Anne ; Janzén, Erik ; Brosselard, Pierre; Thierry-Jebali, Nicolas (Editor)

Applied Physics Letters, 2012, Vol.101(22) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4768440

Toàn văn sẵn có

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Correlation between switching to n-type conductivity and structural defects in highly Mg-doped InN

Khromov, Sergey ; Persson, Per O A ; Wang, X. ; Yoshikawa, A. ; Monemar, Bo ; Rosén, Johanna ; Janzén, Erik ; Darakchieva, Vanya

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(23) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4922301

Toàn văn sẵn có

20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Deep levels in tungsten doped n-type 3C-SiC

Beyer, Franziska ; Hemmingsson, Carl ; Gällström, Andreas ; Leone, Stefano ; Pedersen, Henrik ; Henry, Anne ; Janzén, Erik

Applied Physics Letters, 2011, Vol.98(15), pp.152104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3579527

Toàn văn sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 240  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Chỉ hiển thị

  1. Tạp chí có phản biện (129)

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước1996  (7)
  2. 1996đến2000  (44)
  3. 2001đến2005  (18)
  4. 2006đến2011  (45)
  5. Sau 2011  (126)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Ngôn ngữ 

  1. English  (224)
  2. French  (45)
  3. German  (36)
  4. Chinese  (6)
  5. Norwegian  (4)
  6. Korean  (2)
  7. Italian  (1)
  8. Japanese  (1)
  9. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Janzen, Erik
  2. Janzén, Erik
  3. Janzén, E.
  4. Janzen, E
  5. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...