skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 37.709  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Influence of confined optical phonons on the Hall effect in a quantum well with high infinite potential under the presence of an intense electromagnetic wave
Material Type:
Sách
Thêm vào Góc nghiên cứu

Influence of confined optical phonons on the Hall effect in a quantum well with high infinite potential under the presence of an intense electromagnetic wave

Long, D.T.; Hung, L.T.; Bau, N.Q.

Scopus; 978-150906093-1; http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/32917

Truy cập trực tuyến

2
Influence of confined optical phonons on the Hall effect in a quantum well with high infinite potential under the presence of an intense electromagnetic wave
Material Type:
Sách
Thêm vào Góc nghiên cứu

Influence of confined optical phonons on the Hall effect in a quantum well with high infinite potential under the presence of an intense electromagnetic wave

Long, D.T.; Hung, L.T.; Bau, N.Q.

Scopus; 978-150906093-1; http://ieeexplore.ieee.org/document/7735462/; http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/33021

Truy cập trực tuyến

3
Material Type:
Sách
Thêm vào Góc nghiên cứu

The blue laser diode : GaN based light emitters and lasers

Nakamura Shuji; Fasol Gerhard

Berlin : Springer, 1997 - (621.36 NAK 1997)

Kiểm tra tình trạng sẵn có của tài liệu

4
GaAs high-speed devices : physics, technology, and circuit applications
Material Type:
Sách
Thêm vào Góc nghiên cứu

GaAs high-speed devices : physics, technology, and circuit applications

Chang C. Y.; Kai Francis

New York : Wiley, c1994. - (621.381 CHA 1994) - ISBN047185641X (acid-free paper)

Kiểm tra tình trạng sẵn có của tài liệu

5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Control of the interfacial reaction in HfO.sub.2 on Si-passivated GaAs

Applied Surface Science, Oct 15, 2013, Vol.283, p.375(7) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0169-4332

Truy cập trực tuyến

6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The O.sub.As defect in GaAs: A hybrid density functional study

Colleoni, Davide ; Pasquarello, Alfredo

Applied Surface Science, Feb 1, 2014, Vol.291, p.6(5) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0169-4332

Truy cập trực tuyến

7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates

Dimitrakopulos, G. P. ; Bazioti, C. ; Grym, J. ; Gladkov, P. ; Hulicius, E. ; Pangrac, J. ; Pacherova, O. ; Komninou, Ph.

Applied Surface Science, July 1, 2014, Vol.306, p.89(5) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0169-4332

Truy cập trực tuyến

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Ga and As competition for thiolate formation at p-GaAs(111) surfaces

Electrochimica Acta, August 1, 2013, Vol.104, p.1(11) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0013-4686

Truy cập trực tuyến

9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Reconstructions and surface facets of the GaAs(112)A and (112)B surfaces: First-principles DFT supercell calculations

Jenichen, Arndt ; Engler, Cornelia

Surface Science, Feb, 2013, Vol.608, p.204(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0039-6028

Truy cập trực tuyến

10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Surface reactions of TiCl.sub.4 and Al(CH.sub.3).sub.3 on GaAs(100) during the first half-cycle of atomic layer deposition.(Report)

Granados - Alpizar, Bernal ; Muscat, Anthony J.

Surface Science, July, 2011, Vol.605(13-14), p.1243(6) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0039-6028

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Exciton liquid in coupled quantum wells.(REPORTS)(Report)(Author abstract)

Stern, Michael ; Umansky, Vladimir ; Bar - Joseph, Israel

Science, Jan 3, 2014, Vol.343(6166), p.55(3) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0036-8075

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Site-controlled In(Ga)As/GaAs quantum dots for integration into optically and electrically operated devices

Huggenberger, A. ; Schneider, C. ; Drescher, C. ; Heckelmann, S. ; Heindel, T. ; Reitzenstein, S. ; Kamp, M. ; Höfling, S. ; Worschech, L. ; Forchel, A.;

Journal of Crystal Growth, May 15, 2011, Vol.323(1), p.194(4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

(100) GaAs/Al.sub.x Ga.sub.1-x As heterostructures for Zeeman spin splitting studies of hole quantum wires.(Report)

Trunov, K. ; Reuter, D. ; Ludwig, A. ; Chen, J. C. H. ; Klochan, O. ; Micolich, A. P. ; Hamilton, A. R. ; Wieck, A. D.

Journal of Crystal Growth, May 15, 2011, Vol.323(1), p.48(4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Truy cập trực tuyến

14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The interface states and series resistance analyzing of Au/SiO.sub.2/n-GaAs at high temperatures

Altuntas, H. ; Ozcelik, S.

Journal of Alloys and Compounds, Nov 15, 2013, Vol.577, p.143(5) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0925-8388

Truy cập trực tuyến

15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Microstructure of porous gallium nitride nanowall networks

Poppitz, David ; Lotnyk, Andriy ; Gerlach, Jurgen W. ; Rauschenbach, Bernd

Acta Materialia, Feb 15, 2014, Vol.65, p.98(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 1359-6454

Truy cập trực tuyến

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates

Li, K.L. ; Sun, Y.R. ; Dong, J.R. ; He, Y. ; Zeng, X.L. ; Zhao, Y.M. ; Yu, S.Z. ; Zhao, C.Y.

Thin Solid Films, Oct 30, 2015, Vol.593, p.193(5) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090 ; DOI: 10.1016/j.tsf.2015.08.039

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có
17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Low temperature oxide desorption in GaAs (111)A substrates

Fuster, David ; Gines, Laia ; Gonzalez, Yolanda ; Herranz, Jesus ; Gonzalez, Luisa

Thin Solid Films, June 30, 2013, Vol.537, p.70(6) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0040-6090

Truy cập trực tuyến

18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Structural characterization of GaAs self-assembled quantum dots grown by Droplet Epitaxy on Ge virtual substrates on Si.(Report)

Frigeri, C. ; Bietti, S. ; Isella, G. ; Sanguinetti, S.

Applied Surface Science, Feb 15, 2013, Vol.267, p.86(4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0169-4332

Truy cập trực tuyến

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Facetted growth of Fe.sub.3Si shells around GaAs nanowires on Si(111)

Jenichen, B. ; Hilse, M. ; Herfort, J. ; Trampert, A.

Journal of Crystal Growth, Oct 1, 2015, Vol.427, p.21(3) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248

Truy cập trực tuyến

20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

GaSb quantum rings grown by metal organic molecular beam epitaxy

Odashima, S ; Sakurai, S ; Wada, M ; Suemune, I

Journal of Crystal Growth, 15 May 2011, Vol.323(1), pp.233-235 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0022-0248 ; E-ISSN: 1873-5002 ; DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.01.032

Truy cập trực tuyến

Phiên bản sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 37.709  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước1964  (419)
  2. 1964đến1977  (2.039)
  3. 1978đến1991  (3.072)
  4. 1992đến2006  (10.451)
  5. Sau 2006  (21.637)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Ngôn ngữ 

  1. English  (37.002)
  2. Japanese  (446)
  3. German  (92)
  4. French  (88)
  5. Chinese  (60)
  6. Spanish  (51)
  7. Portuguese  (24)
  8. Russian  (20)
  9. Korean  (14)
  10. Dutch  (9)
  11. Italian  (7)
  12. Turkish  (5)
  13. Arabic  (2)
  14. Polish  (1)
  15. Norwegian  (1)
  16. Lithuanian  (1)
  17. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Ito, Tomonori
  2. Duque, C.A.
  3. Nakano, Yoshiaki
  4. Volz, K.
  5. Stolz, W.

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...