skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 61  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 next page
Lọc theo: Nhan đề tạp chí: Applied Physics Letters xóa Chủ đề: Nanoscale Science And Technology xóa
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Improving the morphological stability of nickel germanide by tantalum and tungsten additions

Jablonka, Lukas ; Kubart, Tomas ; Gustavsson, Fredrik ; Descoins, Marion ; Mangelinck, Dominique ; Zhang, Shi-Li ; Zhang, Zhen

Applied Physics Letters, 2018, Vol.112(10) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 1077-3118 ; ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.5019440

Toàn văn sẵn có

2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Large on/off current ratio in hybrid graphene/BN nanoribbons by transverse electric field-induced control of bandgap

Tran, Van-Truong ; Saint-Martin, Jérôme ; Dollfus, Philippe

Applied Physics Letters, 18 August 2014, Vol.105(7) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4893697

Toàn văn sẵn có

3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Atmospheric pressure route to epitaxial nitrogen-doped trilayer graphene on 4H-SiC (0001) substrate

Boutchich, Mohamed ; Arezki, H ; Alamarguy, D ; Ho, K-I ; Sediri, H ; Gunes, F ; Alvarez, J ; Kleider, JP ; Lai, C S ; Ouerghi, A

Applied Physics Letters, 08 December 2014, Vol.105, p.233111 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4903866

Toàn văn sẵn có

4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Resistance controllability and variability improvement in a TaO x -based resistive memory for multilevel storage application

Prakash, A ; Deleruyelle, D ; Song, J ; Bocquet, Marc ; Hwang, H

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(23), p.233104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4922446

Toàn văn sẵn có

5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Surface acoustic wave unidirectional transducers for quantum applications

Ekström, Maria ; Aref, Thomas ; Runeson, Johan ; Björck, Johan ; Boström, Isac ; Delsing, Per

Applied Physics Letters, 2017, Vol.110(7) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4975803

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Dewetting of patterned solid films: Towards a predictive modelling approach

Trautmann, M ; Cheynis, F ; Leroy, F ; Curiotto, S ; Pierre-Louis, O ; Müller, Pierre

Applied Physics Letters, 26 June 2017, Vol.110(26), p.263105 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4990005

Toàn văn sẵn có

7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Field nano-localization of gas bubble production from water electrolysis

Hammadi, Z ; Morin, R ; Olives, Juan

Applied Physics Letters, 26 November 2013, Vol.103(22), p.223106 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4836095

Toàn văn sẵn có

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Highly conductive ultrathin Co films by high-power impulse magnetron sputtering

Jablonka, Lukas ; Riekehr, Lars ; Zhang, Zhen ; Zhang, Shi-Li ; Kubart, Tomas

Applied Physics Letters, 2018, Vol.112(4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 1077-3118 ; ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.5011109

Toàn văn sẵn có

9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon

Seguini, G ; Castro, Celia ; Schamm-Chardon, Sylvie ; Benassayag, Gérard ; Pellegrino, P ; Perego, M

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(2), p.023103 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4813743

Toàn văn sẵn có

10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Ab initio based calculations of the thermal conductivity at the micron scale

Chaput, Laurent ; Larroque, Jérôme ; Dollfus, Philippe ; Saint-Martin, Jérôme ; Lacroix, David

Applied Physics Letters, 2018, Vol.112(3), p.033104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.5010959

Toàn văn sẵn có

11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Metallic nanoparticle-based strain sensors elaborated by atomic layer deposition

Puyoo, Etienne ; Malhaire, Christophe ; Thomas, Daniel ; Rafael, Rémi ; R'Mili, Mohamed ; Malchere, Annie ; Roiban, Lucian ; Koneti, Siddardha ; Bugnet, Matthieu ; Sabac, Andreï ; Le Berre, Martine

Applied Physics Letters, 01 January 2017, Vol.110, p.123103 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4978778

Toàn văn sẵn có

12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Photoassisted transport in silicon dangling bond wires

Kleshchonok, Andrii ; Gutierrez, Rafael ; Joachim, Christian ; Cuniberti, Gianaurelio

Applied Physics Letters, 2015, Vol.107(20), p.203109 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4936182

Toàn văn sẵn có

13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Optical properties and microstructure of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: Effect of thermal annealing

Lopez-Ponce, Manuel ; Hierro, A ; Ulloa, J.-M ; Lefebvre, Pierre ; Munoz, E ; Agouram, S ; Muñoz-Sanjosé, V ; Yamamoto, K ; Nakamura, A ; Temmyo, J

Applied Physics Letters, 08 April 2013, Vol.102, p.143103 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4799491

Toàn văn sẵn có

14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Development of an ultrafast electron source based on a cold-field emission gun for ultrafast coherent TEM

Caruso, Giuseppe Mario ; Houdellier, Florent ; Abeilhou, Pierre ; Arbouet, Arnaud

Applied Physics Letters, July 2017, Vol.111(2), p.023101 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4991681

Toàn văn sẵn có

15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

High spatial resolution correlated investigation of Zn segregation to stacking faults in ZnTe/CdSe nanostructures

Bonef, Bastien ; Grenier, Adeline ; Gérard, Lionel ; Jouneau, Pierre-Henri ; André, Régis ; Blavette, Didier ; Bougerol, Catherine

Applied Physics Letters, 26 February 2018, Vol.112(9), p.093102 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.5020440

Toàn văn sẵn có

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Dislocation core structures in Si-doped GaN

Rhode, Sl ; Horton, Mk ; Fu, Wy ; Sahonta, S - L ; Kappers, Mj ; Pennycook, Tj ; Humphreys, Cj ; Dusane, Ro ; Moram, Ma

Applied Physics Letters, 14 December 2015 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 DOI: 10.1063/1.4937457

Toàn văn sẵn có

17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Thermal diffusivity of diamond nanowires studied by laser assisted atom probe tomography

Arnoldi, L ; Spies, M ; Houard, J ; Blum, I ; Etienne, A ; Ismagilov, M ; Obraztsov, M ; Vella, Angela

Applied Physics Letters, 2018, Vol.112(14), p.143104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.5019672

Toàn văn sẵn có

18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Confined phase separation in SiO$_X$ nanometric thin layers

Roussel, M ; Talbot, E ; Pareige, Cristelle ; Nalini, R.P ; Gourbilleau, Fabrice ; Pareige, Philippe

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103, p.203109 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4830375

Toàn văn sẵn có

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Confinement of vacancies during annealing of H implanted GaN sandwiched between two {InGaN/GaN} superlattices

Cherkashin, Nikolay ; Claverie, Alain ; Sotta, D ; Bethoux, J.-M ; Capello, L ; Kononchuk, O

Applied Physics Letters, 2012, Vol.101(2), p.023105 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4733619

Toàn văn sẵn có

20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Crystallization of Ge2Sb2Te5 nanometric phase change material clusters made by gas-phase condensation

Ghezzi, G ; Morel, Robert ; Brenac, A ; Boudet, Nathalie ; Audier, M ; Fillot, F ; Maîtrejean, S ; Hippert, Francoise

Applied Physics Letters, 06 December 2012, Vol.101, p.233113 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4769435

Toàn văn sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 61  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước2013  (9)
  2. 2013đến2013  (14)
  3. 2014đến2014  (6)
  4. 2015đến2016  (16)
  5. Sau 2016  (16)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...