skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 4.834  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page
Chỉ hiển thị
Lọc theo: Chủ đề: Micro and Nanotechnologies xóa
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Energy transport of surface phonon polaritons propagating along a chain of spheroidal nanoparticles

Ordonez-Miranda, Jose ; Tranchant, Laurent ; Gluchko, Sergei ; Volz, Sebastian

Physical Review B : Condensed matter and materials physics, 09 September 2015 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0163-1829 ; E-ISSN: 1095-3795 ; DOI: 10.1103/PhysRevB.92.115409

Toàn văn sẵn có

2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Make nanotechnology research open-source

Pearce, Joshua M

Nature, 2012 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0028-0836 ; E-ISSN: 1476-4679

Toàn văn sẵn có

3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

General Strategy for the Design of DNA Coding Sequences Applied to Nanoparticle Assembly

Calais, Théo ; Baijot, Vincent ; Rouhani, Mehdi Djafari ; Gauchard, David ; Chabal, Yves J ; Rossi, Carole ; Estève, Alain

Langmuir, 12 September 2016, Vol.32(37), pp.9676-9686 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0743-7463 ; E-ISSN: 1520-5827 ; DOI: 10.1021/acs.langmuir.6b02843

Toàn văn sẵn có

4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

On-chip and freestanding elastic carbon films for micro-supercapacitors

Huang, Peihua ; Lethien, Christophe ; Pinaud, Sébastien ; Brousse, Kevin ; Laloo, Raphaël ; Turq, Viviane ; Respaud, Marc ; Demortiere, Arnaud ; Daffos, Barbara ; Taberna, Pierre-Louis ; Chaudret, Bruno ; Gogotsi, Yury ; Simon, Patrice

Science, 2016, Vol.351(6274), pp.691-695 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0036-8075 ; E-ISSN: 1095-9203 ; DOI: 10.1126/science.aad3345

Toàn văn sẵn có

5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Local micro-photoreflectance spectroscopy measurements on type II InGaAlAs/GaAsSb/InP heterojunction bipolar transistor: Correlation with electrical characteristics

Chouaib, H ; Bru-Chevallier, C

Applied Physics Letters, 23 April 2012, Vol.100(17) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4705408

Toàn văn sẵn có

6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Enhancement of humidity sensitivity of graphene through functionalization with polyethylenimine

Ben Aziza, Zeineb ; Zhang, Kang ; Baillargeat, Dominique ; Zhang, Qing

Applied Physics Letters, 28 September 2015, Vol.107(13), p.134102 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4932124

Toàn văn sẵn có

7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electrical properties and non-volatile memory effect of the [Fe(HB(pz) 3 ) 2 ] spin crossover complex integrated in a microelectrode device

Mahfoud, Tarik ; Molnar, Gabor ; Cobo, Saioa ; Salmon, Lionel ; Thibault, Christophe ; Vieu, Christophe ; Demont, Philippe ; Bousseksou, Azzedine

Applied Physics Letters, August 2011, Vol.99(5), pp.053307-1-053307-3 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3616147

Toàn văn sẵn có

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Impact of acceptor concentration on electrical properties and density of interface states of 4H-SiC n-metal-oxide-semiconductor field effect transistors studied by Hall effect

Ortiz, Guillermo ; Strenger, Christian ; Uhnevionak, Viktoriya ; Burenkov, A ; Bauer, Anton J ; Pichler, Peter ; Cristiano, Fuccio ; Bedel-Pereira, Eléna ; Mortet, Vincent

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(6), p.062104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4908123

Toàn văn sẵn có

9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Growth-in-place deployment of in-plane silicon nanowires

Yu, Linwei ; Chen, Wanghua ; O'Donnell, Benedict ; Patriarche, Gilles ; Bouchoule, Sophie ; Pareige, Philippe ; Rogel, Regis ; Salaün, Anne-Claire ; Pichon, Laurent ; Roca I Cabarrocas, Pere

Applied Physics Letters, 14 November 2011, Vol.99, p.203104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3659895

Toàn văn sẵn có

10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Control of spin configuration in half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 nano-structures

Rhensius, Jan ; Vaz, C.A.F ; Bisig, A ; Schweitzer, S ; Heidler, J ; Körner, H.S ; Locatelli, A ; Nino, M.A ; Weigand, M ; Méchin, Laurence ; Gaucher, F ; Goering, E ; Heyderman, L.J ; Kläui, M

Applied Physics Letters, 2011, Vol.99(6), pp.062508-1 -- 3 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118

Toàn văn sẵn có

11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Efficient spin transfer torque in La2/3Sr1/3MnO3 nanostructures

Foerster, M ; Pena, L ; Vaz, C.A.F ; Heinen, Jan ; Finizio, Simone ; Schulz, Tomek ; Bisig, André ; Buttner, Félix ; Eisebitt, Stephan ; Méchin, Laurence ; Huhn, Sebastian ; Moshnyaga, Vasily ; Kläui, Mathias

Applied Physics Letters, 2014, Vol.104, p.072410 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118

Toàn văn sẵn có

12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Experimental validation of the exponential localized states distribution in the variable range hopping mechanism in disordered silicon films

Pichon, Laurent ; Rogel, Régis

Applied Physics Letters, 16 August 2011, Vol.99, p.072106 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3625944

Toàn văn sẵn có

13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Volume charge carrier number fluctuations probed by low frequency noise measurements in InN layers

Mutta, Geeta Rani ; Routoure, Jean-Marc ; Guillet, Bruno ; Méchin, Laurence ; Grandal, Javier ; Martin-Horcajo, Sara ; Brazzini, Tomaso ; Calle, Fernando ; Sanchez-Garcia, Miguel A ; Marie, Philippe ; Rutenara, Pierre

Applied Physics Letters, 2011, Vol.98(25), pp.252104-1--3 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3601855

Toàn văn sẵn có

14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Self-consistent physical modeling of set/reset operations in unipolar resistive-switching memories

Bocquet, Marc ; Deleruyelle, Damien ; Muller, Christophe ; Portal, Jean-Michel

Applied Physics Letters, 27 June 2011, Vol.98(26) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.3605591

Toàn văn sẵn có

15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Atmospheric pressure route to epitaxial nitrogen-doped trilayer graphene on 4H-SiC (0001) substrate

Boutchich, Mohamed ; Arezki, H ; Alamarguy, D ; Ho, K-I ; Sediri, H ; Gunes, F ; Alvarez, J ; Kleider, JP ; Lai, C S ; Ouerghi, A

Applied Physics Letters, 08 December 2014, Vol.105, p.233111 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4903866

Toàn văn sẵn có

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Quantum electronic transport in polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel junctions

Cavassilas, Nicolas ; Claveau, Yann ; Bescond, Marc ; Michelini, Fabienne

Applied Physics Letters, April 2017, Vol.110(16) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4981135

Toàn văn sẵn có

17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Resistance controllability and variability improvement in a TaO x -based resistive memory for multilevel storage application

Prakash, A ; Deleruyelle, D ; Song, J ; Bocquet, Marc ; Hwang, H

Applied Physics Letters, 2015, Vol.106(23), p.233104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4922446

Toàn văn sẵn có

18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Leakage current in atomic-size surface interconnects

Kepenekian, Mikaël ; Robles, Roberto ; Joachim, Christian ; Lorente, Nicolás

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(16), p.161603 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4825375

Toàn văn sẵn có

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Evanescent-wave tuning of a locally resonant sonic crystal

Wang, Tingting ; Wang, Yan-Feng ; Wang, Yue - Sheng ; Laude, Vincent

Applied Physics Letters, 2018, Vol.113(23), p.231901 (4) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118

Toàn văn sẵn có

20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Self-referenced multi-bit thermally assisted magnetic random access memories

Stainer, Q ; Lombard, L ; Mackay, K ; Lee, D ; Bandiera, S ; Portemont, C ; Creuzet, C ; Sousa, R ; Dieny, B

Applied Physics Letters, 21 July 2014, Vol.105(3), p.032405 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4885352]

Toàn văn sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 4.834  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Chỉ hiển thị

  1. Tạp chí có phản biện (1.358)

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước1980  (14)
  2. 1980đến1991  (19)
  3. 1992đến1999  (82)
  4. 2000đến2008  (1.006)
  5. Sau 2008  (3.337)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Ngôn ngữ 

  1. English  (3.304)
  2. French  (1.542)
  3. Japanese  (3)
  4. Portuguese  (3)
  5. Polish  (1)
  6. Italian  (1)
  7. Norwegian  (1)
  8. Chinese  (1)
  9. Spanish  (1)
  10. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Lutz, Philippe
  2. Pons, Patrick
  3. Chaillet, Nicolas
  4. Rouzeyre, Bruno
  5. Di Natale, Giorgio

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...