skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 520  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Optical and electronic properties of sub-surface conducting layers in diamond created by MeV B-implantation at elevated temperatures

Liu, R ; Bowers, H ; Ganesan, K ; Johnson, B ; Mccallum, J ; Prawer, S; Prawer, S (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Jun 20, 2016 [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1063/1.4953583

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Evaluation of the electrical contact area in contact-mode scanning probe microscopy

Celano, Umberto ; Chintala, Ravi Chandra ; Vandervorst, Wilfried ; Department of Physics and Astronomy ; Hantschel, Thomas ; Giammaria, Guido ; Conard, Thierry ; Bender, Hugo

Journal of Applied Physics, 07 June 2015, Vol.117(21) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4921878

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Structural modification of nanocrystalline diamond films via positive/negative bias enhanced nucleation and growth processes for improving their electron field emission properties

Saravanan, A ; Huang, B. R ; Sankaran, K. J ; Tai, N. H ; Keiser, G ; Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Boston, Massachusetts 02215 ; Kurian, J ; Lin, I. N

Journal of Applied Physics, 07 June 2015, Vol.117(21) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4921875

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Nonlinear ionization mechanism dependence of energy absorption in diamond under femtosecond laser irradiation

Wang Cong ; Jiang Lan ; Li Xin ; Wang Feng ; Yuan Yanping ; Qu Liangti ; Lu Yongfeng

Journal of Applied Physics, 14 April 2013, Vol.113(14) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4801802

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of high-temperature H{sub 2}O-grown atomic layer deposition-Al{sub 2}O{sub 3} films

Hiraiwa, Atsushi ; Saito, Tatsuya ; Matsumura, Daisuke ; Kawarada, Hiroshi

Journal of Applied Physics, 07 June 2015, Vol.117(21) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4921824

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Enhancing secondary yield of a diamond amplifier using a nitrogen layer

Jensen, Kevin L ; Shaw, Jonathan L ; Yater, Joan E ; Pate, Bradford B

Journal of Applied Physics, 07 June 2015, Vol.117(21) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4921804

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Systematic studies of the nucleation and growth of ultrananocrystalline diamond films on silicon substrates coated with a tungsten layer.(Report)

Yueh - Chieh Chu ; Chia - Hao Tu ; Jiang, Gerald ; Chi Chang ; Chuan - Pu Liu ; Jyh - Ming Ting ; Hsin - Li Lee ; Yonhua Tzeng ; Auciello, Orlando

Journal of Applied Physics, June 15, 2012, Vol.111(12), p.124328-1-124328-6 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

First principles study of Fe in diamond: A diamond-based half metallic dilute magnetic semiconductor

Benecha, E. M ; Lombardi, E. B

Journal of Applied Physics, 14 December 2013, Vol.114(22) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4841096

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Temperature dependent simulation of diamond depleted Schottky PIN diodes

Hathwar, Raghuraj ; Dutta, Maitreya ; Chowdhury, Srabanti ; Goodnick, Stephen M ; Koeck, Franz A. M ; Nemanich, Robert J

Journal of Applied Physics, 14 June 2016, Vol.119(22) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4953385

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Effect of high-intensity x-ray radiation on Bragg diffraction in silicon and diamond

Hau-Riege, Stefan P ; Pardini, Tommaso

Journal of Applied Physics, 01 December 2012, Vol.112(11) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4765719

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

A molecular dynamics study of diamond and graphite under tritium bombardment

Dunn, A. R ; Duffy, D. M

Journal of Applied Physics, 15 November 2011, Vol.110(10) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.3656988

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Localized chemical switching of the charge state of nitrogen-vacancy luminescence centers in diamond

Shanley, Toby ; Martin, Aiden ; Aharonovich, Igor ; Toth, Milos; Toth, Milos (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Jun 4, 2014 [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1063/1.4883229

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Diamond Schottky diodes with ideality factors close to 1

Fiori, A ; Teraji, T ; Koide, Y

Applied Physics Letters, 29 September 2014, Vol.105(13) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; E-ISSN: 1077-3118 ; DOI: 10.1063/1.4897315

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Engineering shallow spins in diamond with nitrogen delta-doping

Ohno, Kenichi ; Heremans, F ; Bassett, Lee ; Myers, Bryan ; Toyli, David ; Palmstrom, Christopher ; Awschalom, David; Awschalom, David (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Jul 11, 2012 [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1063/1.4748280

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Nanoimplantation and Purcell enhancement of single NV centers in photonic crystal cavities in diamond

Riedrich-Möller, Janine ; Pezzagna, Sébastien ; Meijer, Jan ; Pauly, Christoph ; Mücklich, Frank ; Markham, Matthew ; Edmonds, Andrew ; Becher, Christoph; Becher, Christoph (pacrepositoryorg)

arXiv.org, Mar 19, 2015 [Tạp chí có phản biện]

DOI: 10.1063/1.4922117

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Pressure-Induced Isostructural Phase Transition and Correlation of FeAs Coordination with the Superconducting Properties of 111-Type Na1-xFeAs

Q Liu ; X Yu ; X Wang ; Z Deng ; Y Lv ; J Zhu ; S Zhang ; H Liu ; W Yang ; et Al; Brookhaven National Laboratory (Bnl) (Corporate Author)

Journal of the American Chemical Society, 31 December 2011, Vol.133(20) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0002-7863 ; E-ISSN: 1520-5126 ; DOI: 10.1021/ja2009949

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Thermal conductivity changes upon neutron transmutation of {sup 10}B doped diamond

Jagannadham, K ; Verghese, K ; Butler, J. E

Journal of Applied Physics, 28 August 2014, Vol.116(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4892888

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Full characterization of laser-accelerated ion beams using Faraday cup, silicon carbide, and single-crystal diamond detectors

Margarone, D ; Prokupek, J ; Rus, B ; Krasa, J ; Velyhan, A ; Laska, L ; Giuffrida, L ; Torrisi, L ; Picciotto, A ; Nowak, T ; Musumeci, P ; Mocek, T ; Ullschmied, J

Journal of Applied Physics, 15 May 2011, Vol.109(10) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.3585871

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Ultraviolet photosensitivity of sulfur-doped micro- and nano-crystalline diamond.(Report)

Mendoza, Frank ; Makarov, Vladimir ; Hidalgo, Arturo ; Weiner, Brad ; Morell, Gerardo

Journal of Applied Physics, June 1, 2011, Vol.109(11), p.114904-1-114904-6 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có
20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Publisher's Note: “Electronic properties of graphene-single crystal diamond heterostructures” [J. Appl. Phys. 114, 053709 (2013)]

Zhao, Fang ; Nguyen, Thuong Thuong ; Golsharifi, Mohammad ; Amakubo, Suguru ; Jackman, Richard B ; Loh, K. P

Journal of Applied Physics, 14 September 2014, Vol.116(10) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0021-8979 ; E-ISSN: 1089-7550 ; DOI: 10.1063/1.4894711

Toàn văn không sẵn có

Phiên bản sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 520  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 3 4 5 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Lọc kết quả

Năm xuất bản 

Từ đến
  1. Trước1986  (11)
  2. 1986đến1993  (55)
  3. 1994đến2002  (27)
  4. 2003đến2011  (176)
  5. Sau 2011  (251)
  6. Lựa chọn khác open sub menu

Gợi ý tìm kiếm

Bỏ qua truy vấn này và tìm kiếm mọi thứ

theo tác giả:

  1. Lawrence Livermore National Lab.
  2. Argonne National Lab.
  3. Evans, W J
  4. Lin, I. N.
  5. Lin, In

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...