skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Kết quả 1 - 20 của 29  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 next page
Lọc theo: Nhan đề tạp chí: Applied Physics Letters xóa Tác giả/ người sáng tác: Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial xóa
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The influence of substrate morphology on thickness uniformity and unintentional doping of epitaxial graphene on SiC

Eriksson, Jens ; Pearce, Ruth ; Iakimov, Tihomir ; Virojanadara, Chariya ; Gogova, Daniela ; Andersson, Mike ; Syväjärvi, Mikael ; Lloyd Spetz, Anita ; Yakimova, Rositza; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2012, Vol. 100(24), p. 241607 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4729556

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Strain and morphology compliance during the intentional doping of high-Al-content AlGaN layers

Nilsson, Daniel ; Janzén, Erik ; Kakanakova-Georgieva, Anelia

Applied Physics Letters, 2014, Vol.105(8) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4894173

Toàn văn sẵn có

3
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Size dependent biexciton binding energies in GaN quantum dots

Amloy, Supaluck ; Yu, K. H. ; Karlsson, Fredrik ; Farivar, R ; Andersson, T. G. ; Holtz, Per-Olof; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2011, Vol. 25(251903) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3670040

Toàn văn sẵn có

4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy

Shubina, T. V. ; Toropov, A. .A. ; Pozina, Galia ; Bergman, Peder ; Glazov, M. M. ; Gippius, N. A. ; Disseix, P. ; Leymarie, J. ; Gil, B. ; Monemar, Bo

Applied Physics Letters, 2011, Vol.99(10), pp.101108 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3625431

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
5
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Impact of residual carbon on two-dimensional electron gas properties in Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>N/GaN heterostructure

Chen, Jr-Tai ; Forsberg, Urban ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2013, Vol. 102(19), p. 193506 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4804600

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
6
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Shallow donor and DX states of Si in AlN

Son Tien, Nguyen ; Bickermann, M ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, Vol. 98(9), p. 092104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3559914

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
7
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Surface related and intrinsic exciton recombination dynamics in ZnO nanoparticles synthesized by a sol-gel method

Hsu, Hsu-Cheng ; Huang, Hsin-Ying ; Eriksson, Martin ; Dai, Tsen-Fang ; Holtz, Per-Olof

Applied Physics Letters, 2013, Vol.102(1), pp.013109 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4774002

Toàn văn sẵn có

8
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Visible to vacuum ultraviolet dielectric functions of epitaxial graphene on 3C and 4H SiC polytypes determined by spectroscopic ellipsometry

Boosalis, A. ; Hofmann, T. ; Darakchieva, Vanya ; Yakimova, Rositsa ; Schubert, M.

Applied Physics Letters, 2012, Vol.101(1) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4732159

Toàn văn sẵn có

9
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Deep levels in tungsten doped n-type 3C-SiC

Beyer, Franziska ; Hemmingsson, Carl ; Gällström, Andreas ; Leone, Stefano ; Pedersen, Henrik ; Henry, Anne ; Janzén, Erik

Applied Physics Letters, 2011, Vol.98(15), pp.152104 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3579527

Toàn văn sẵn có

10
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Electron effective mass in Al0.72Ga0.28N alloys determined by mid-infrared optical Hall effect

Schoeche, S ; Kuehne, P ; Hofmann, T ; Schubert, M ; Nilsson, Daniel ; Kakanakova-Gueorguie, Anelia ; Janzén, Erik ; Darakchieva, Vanya

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(21), pp.212107 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4833195

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
11
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Very low specific contact resistance measurements made on a highly p-type doped 4H-SiC layer selectively grown by vapor-liquid-solid transport

Thierry-Jebali, N. ; Vo-Ha, A. ; Carole, D. ; Lazar, M. ; Ferro, G. ; Planson, D. ; Henry, Anne ; Brosselard, P.; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2013, Vol. 102(21), p. 212108 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4809570

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
12
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Nucleation of single GaN nanorods with diameters smaller than 35 nm by molecular beam epitaxy

Chen, Yen-Ting ; Araki, Tsutomu ; Palisaitis, Justinas ; Persson, Per O A ; Chen, Li-Chyong ; Chen, Kuei-Hsien ; Holtz, Per-Olof ; Birch, Jens ; Nanishi, Yasushi

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(20), pp.203108 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4830044

Toàn văn sẵn có

13
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Large-area microfocal spectroscopic ellipsometry mapping of thickness and electronic properties of epitaxial graphene on Si- and C-face of 3C-SiC(111)

Darakchieva, Vanya ; Boosalis, A. ; Zakharov, A. A. ; Hofmann, T. ; Schubert, M. ; Tiwald, T. E. ; Iakimov, Tihomir ; Vasiliauskas, Remigijus ; Yakimova, Rositsa; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2013, Vol. 102(21), p. 213116 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4808379

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
14
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Non-contact method for measurement of the microwave conductivity of graphene

Hao, L ; Gallop, J ; Goniszewski, S ; Shaforost, O ; Klein, N ; Yakimova, Rositsa; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2013, Vol. 103(12) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4821268

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
15
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Dynamic characteristics of the exciton and the biexciton in a single InGaN quantum dot

Amloy, Supaluck ; Moskalenko, Evgenii ; Eriksson, M ; Karlsson, K Fredrik ; Chen, Y T ; Chen, K H ; Hsu, H C ; Hsiao, C L ; Chen, L C ; Holtz, Per-Olof

Applied Physics Letters, 2012, Vol.101(6) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4742343

Toàn văn sẵn có

16
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

The charged exciton in an InGaN quantum dot on a GaN pyramid

Hsu, Chih-Wei ; Moskalenko, Evgenii ; Eriksson, Martin ; Lundskog, Anders ; Karlsson, Fredrik K. ; Forsberg, Urban ; Janzén, Erik ; Holtz, Per-Olof

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(1) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4812984

Toàn văn sẵn có

17
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Defects at nitrogen site in electron-irradiated AlN

Son Tien, Nguyen ; Gali, A. ; Szabo, A. ; Bickermann, M. ; Ohshima, T. ; Isoya, J. ; Janzén, Erik; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2011, Vol. 98(24), p. 242116 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.3600638

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
18
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Polarized and diameter-dependent Raman scattering from individual aluminum nitride nanowires: The antenna and cavity effects

Hsu, Hsu-Cheng ; Hsu, Geng-Ming ; Lai, Yu-Shiung ; Chuan Feng, Zhe ; Tseng, Shuo-Yen ; Lundskog, Anders ; Forsberg, Urban ; Janzén, Erik ; Chen, Kuei-Hsien ; Chen, Li-Chyong

Applied Physics Letters, 2012, Vol.101(12), pp.121902 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4753798

Toàn văn sẵn có

19
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Considerably long carrier lifetimes in high-quality 3C-SiC(111)

Sun, Jianwu ; Ivanov, Ivan Gueorguiev ; Liljedahl, Rickard ; Yakimova, Rositsa ; Syväjärvi, Mikael; Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial ; Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Halvledarmaterial

Applied Physics Letters, 2012, Vol. 100(25), p. 252101 [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4729583

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có
20
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Phase coherence and energy relaxation in epitaxial graphene under microwave radiation

Eless, V ; Yager, T ; Spasov, S ; Lara-Avila, S ; Yakimova, Rositsa ; Kubatkin, S ; Janssen, T J B M. ; Tzalenchuk, A ; Antonov, V

Applied Physics Letters, 2013, Vol.103(9) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0003-6951 ; ISSN: 0003-6951 ; DOI: 10.1063/1.4819726

Toàn văn sẵn có

Phiên bản sẵn có

Kết quả 1 - 20 của 29  trong Tất cả tài nguyên

Kết quả 1 2 next page

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...