skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục
Lọc theo: Tất cả các phiên bản xóa
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Advances in MoS 2 -Based Field Effect Transistors (FETs)

Tong, Xin ; Ashalley, Eric ; Lin, Feng ; Li, Handong ; Wang, Zhiming

Nano-Micro Letters, 2015, Vol.7(3), pp.203-218 [Tạp chí có phản biện]

Springer Science & Business Media B.V.

ISSN: 2311-6706 ; E-ISSN: 2150-5551 ; DOI: 10.1007/s40820-015-0034-8

Toàn văn sẵn có

2
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Advances in MoS 2 -Based Field Effect Transistors (FETs)

Tong, Xin ; Ashalley, Eric ; Lin, Feng ; Li, Handong ; Wang, Zhiming M

Nano-Micro Letters, 2015, Vol.7(3), p.203-218 [Tạp chí có phản biện]

U.S. National Library of Medicine (NIH/NLM)

ISSN: 2311-6706 ; E-ISSN: 2150-5551 ; DOI: 10.1007/s40820-015-0034-8 ; PMCID: 6223905 ; PMID: 30464966

Toàn văn sẵn có

3
Advances in MoS2-Based Field Effect Transistors (FETs)
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Advances in MoS2-Based Field Effect Transistors (FETs)

Tong, Xin ; Ashalley, Eric ; Lin, Feng ; Li, Handong ; Wang, Zhiming M.

Nano-Micro Letters, 7/2015, Vol.7(3), pp.203-218 [Tạp chí có phản biện]

Springer (via CrossRef)

ISSN: 2311-6706 ; E-ISSN: 2150-5551 ; DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s40820-015-0034-8

Toàn văn sẵn có

4
Material Type:
Bài báo
Thêm vào Góc nghiên cứu

Advances in MoS-Based Field Effect Transistors (FETs)

Tong, Xin ; Ashalley, Eric ; Lin, Feng ; Li, Handong ; Wang, Zhiming M

Nano-micro letters, 2015, Vol.7(3), pp.203-218 [Tạp chí có phản biện]

MEDLINE/PubMed (U.S. National Library of Medicine)

E-ISSN: 2150-5551 ; PMID: 30464966 Version:1 ; DOI: 10.1007/s40820-015-0034-8

Toàn văn sẵn có

Chủ đề của tôi

  1. Thiết lập

Refine Search Results

Mở rộng kết quả tìm kiếm

  1.   

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...