skip to main content
Ngôn ngữ:
Giới hạn tìm kiếm: Giới hạn tìm kiếm: Dạng tài nguyên Hiển thị kết quả với: Hiển thị kết quả với: Chỉ mục

Aself-aligned nano-fabrication process for vertical nbn–mgo–nbn josephson junctions

Grimm, A ; Jebari, S ; Hazra, D ; Blanchet, F ; Gustavo, F ; Thomassin, J-L ; Hofheinz, M

Superconductor Science and Technology, 2017, Vol.30(10), p.105002 (6pp) [Tạp chí có phản biện]

ISSN: 0953-2048 ; E-ISSN: 1361-6668 ; DOI: 10.1088/1361-6668/aa8007

Toàn văn không sẵn có

Trích dẫn Trích dẫn bởi
  • Nhan đề:
    Aself-aligned nano-fabrication process for vertical nbn–mgo–nbn josephson junctions
  • Tác giả: Grimm, A ; Jebari, S ; Hazra, D ; Blanchet, F ; Gustavo, F ; Thomassin, J-L ; Hofheinz, M
  • Chủ đề: Condensed Matter - Mesoscale And Nanoscale Physics ; Condensed Matter - Superconductivity
  • Là 1 phần của: Superconductor Science and Technology, 2017, Vol.30(10), p.105002 (6pp)
  • Mô tả: We present a new process for fabricating vertical NbN–MgO–NbN Josephson junctions using self-aligned silicon nitride spacers. It allows for a wide range of junction areas from 0.02 to several 100 μ m 2 . At the same time, it is suited for the implementation of complex microwave circuits with transmission line impedances ranging from to . The constituent thin films and the finished junctions are characterized. The latter are shown to have high gap voltages ( ) and low sub-gap leakage currents.
  • Ngôn ngữ: English
  • Số nhận dạng: ISSN: 0953-2048 ; E-ISSN: 1361-6668 ; DOI: 10.1088/1361-6668/aa8007

Đang tìm Cơ sở dữ liệu bên ngoài...